在半导体芯片制造、微机电系统（MEMS）和先进封装等尖端领域，干法刻蚀是实现微纳结构图形化的关键工艺。其中，电容耦合等离子体（CCP）和电感耦合等离子体（ICP）是两种最主流的等离子体源技术。理解它们的区别，对于选择正确的工艺方案至关重要。等离子体刻蚀，又称干法刻蚀，其核心在于利用产生的活性粒子（离子、自由基）与材料发生物理或化学反应

微流控芯片的键合是连接基片与盖片的关键工序，其质量直接决定了芯片的密封性、耐久性与可靠性。微流控芯片的“键合”工序，堪称其制造过程中的“最后一公里”，也是最关键的步骤之一。一个完美的键合需要实现高强度、无泄漏、零污染、通道不变形等严苛要求。不同的芯片材料和应用场景，需要匹配不同的键合工艺。本文将深入对比目前

在微流控芯片的研发与制造过程中，气泡生成、通道堵塞和键合不牢是三大常见且棘手的缺陷。这些缺陷会直接影响芯片的性能、可靠性和良率。本文将从缺陷成因的根源出发，结合学术界与工业界的实践经验，提供具体、可操作的解决方案，助您提升微流控芯片的加工质量。

微纳加工作为精密制造的前沿领域，持续推动着半导体、医疗器件、新能源等高科技产业的发展。在这一领域中，石墨材料因其独特的物理化学性质，尤其在电极加工中的应用日益成为关键技术之一。本文将从实际应用场景出发，分析石墨电极在微纳加工中的核心优势及未来趋势，为行业从业者提供参考。

在微纳加工的世界里，如果说光刻机是如同精密画笔的“投影仪”，那么光掩模就是决定最终图案的“底片”或“蓝图”。它是连接芯片设计图纸与物理硅片之间的桥梁，是整个制造流程中不可或缺、要求极高的核心要素。 本文将深入解析光掩模在微纳加工中的多重关键角色，以及其技术如何随着制程进步而演进。

硅片，作为微电子和MEMS领域的基石，其加工工艺是现代高科技制造业的缩影。将一块纯净的“空白画布”——硅晶圆，转变为集成了数百万甚至数十亿晶体管或复杂微结构的“科技艺术品”，需要经历一系列极其精密和严格的加工步骤。 本文将以最典型的半导体集成电路制造为例，系统梳理硅片加工的核心工艺流程，为您揭开芯片制造的神秘面纱。