想象一下，在只有指甲盖大小的硅片上，要“画”出数十亿个比头发丝细千倍的晶体管电路，这项神奇的技术就是光刻——它是现代芯片制造的基石，也是微纳加工中最精密的步骤之一。

在光刻技术于硅片上“画”出精细图案后，如何把这些二维图纸变成三维的微观结构？这就是刻蚀技术的任务——它像一位技艺高超的微雕艺术家，在纳米尺度上进行精准的“雕刻”。

在微纳加工领域，薄膜沉积是构建功能结构的基础工艺。物理气相沉积（PVD）和原子层沉积（ALD）作为两种主流技术，各有其物理原理、工艺特点与适用场景。正确选择镀膜方案，对器件性能、可靠性与成本控制至关重要。

第三代半导体（以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表）因其高击穿场强、高电子饱和速率、耐高温等优异特性，在新能源汽车、5G通信、轨道交通、智能电网等领域展现出巨大潜力。而光刻技术作为图形化的核心工艺，直接影响第三代半导体器件的性能与可靠性。

近年来，随着半导体器件向三维化、集成化方向发展，高深宽比刻蚀技术已成为微纳制造领域的关键技术之一。尤其在MEMS（微机电系统）、功率半导体、3D NAND存储等领域，高深宽比结构的加工能力直接决定了器件性能与集成度。

高端MEMS（微机电系统）传感器，如高精度加速度计、陀螺仪、压力传感器、麦克风等，已成为智能手机、汽车电子、工业物联网、医疗设备的核心部件。这些传感器的性能、可靠性与尺寸，高度依赖于光刻、刻蚀、镀膜三大工艺的精密协同。