在微纳加工和半导体制造领域，薄膜沉积技术是构建器件功能层不可或缺的关键工艺之一。其中，LPCVD（低压化学气相沉积） 和 PECVD（等离子体增强化学气相沉积） 是两种常见且重要的化学气相沉积技术，广泛应用于绝缘层、保护层、半导体薄膜等功能材料的制备。尽管两者都属于“化学气相沉积”这一大类，但它们在工作原理、工艺参数、薄膜特性

晶圆刻蚀是半导体制造核心工艺，用于在晶圆表面精准去除材料以形成微纳结构，其历史发展与半导体技术进步紧密相连。

ITO（氧化铟锡）是一种具有良好导电性和透明性的材料，广泛应用于触摸屏、显示器等领域。ITO干法刻蚀是在等离子体环境下，利用化学或物理作用去除不需要的ITO材料，以形成所需的电路图案，其工艺难点主要包括刻蚀速率与均匀性、选择比控制、等离子体损伤、残留物与污染等方面。

离子注入是微纳加工中关键技术，通过高能离子束轰击材料表面，改变其物理和化学性质

在微纳加工领域，玻璃刻蚀能够实现非常高的加工精度，可达到纳米级别。这使得能够在玻璃表面精确地制作出微小的结构，如微流道、微透镜阵列等，这些微小结构的尺寸和形状精度直接影响器件的性能，高精度刻蚀满足了微纳器件对微观结构尺寸的严格要求。

MEMS（微机电系统）加工精度指制造MEMS器件时，对尺寸、形状、位置等参数的控制精确程度，通常以微米（μm）甚至纳米（nm）为单位，下面从影响因素、典型精度范围两方面介绍：