MEMS代工--刻蚀是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性刻蚀的技术，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。刻蚀分为干法刻蚀和湿法腐蚀。原位芯片目前掌握多种刻蚀工艺，并会根据客户的需求，设计刻蚀效果好且性价比高的刻蚀解决方案。

刻蚀技术主要应用于半导体器件，集成电路制造，薄膜电路，印刷电路和其他微细图形的加工等。

深硅刻蚀（DRIE）：8寸及以下晶圆，深宽比5：1

离子束刻蚀（IBE）：金属刻蚀，6寸及以下

反应离子刻蚀（RIE）、电感耦合（ICP）等离子刻蚀

硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料