近年来，随着半导体器件向三维化、集成化方向发展，高深宽比刻蚀技术已成为微纳制造领域的关键技术之一。尤其在MEMS（微机电系统）、功率半导体、3D NAND存储等领域，高深宽比结构的加工能力直接决定了器件性能与集成度。

高端MEMS（微机电系统）传感器，如高精度加速度计、陀螺仪、压力传感器、麦克风等，已成为智能手机、汽车电子、工业物联网、医疗设备的核心部件。这些传感器的性能、可靠性与尺寸，高度依赖于光刻、刻蚀、镀膜三大工艺的精密协同。

从智能手机的芯片到医疗检测的生物传感器，从实验室-on-a-chip到量子计算机的器件，现代高科技产品的背后，都离不开一项关键的制造技术——微纳加工。它是在微米（百万分之一米）和纳米（十亿分之一米）尺度上，进行材料加工、结构制造和器件集成的尖端技术总和。微纳加工不仅是半导体工业的基石，更已渗透到生物医疗、新能源、光学显示等众多

石英玻璃，以其极高的化学稳定性、优异的光学透射性、耐高温和低热膨胀系数等特性，成为微流控芯片、光学MEMS、生物传感器和光子芯片等高端器件的理想基材。然而，正是这些卓越的性能，使其成为微纳加工领域中最具挑战性的材料之一。本文将深入探讨石英玻璃刻蚀的技术难点、主流工艺方案以及如何选择合适的加工方法。

在半导体芯片制造、微机电系统（MEMS）和先进封装等尖端领域，干法刻蚀是实现微纳结构图形化的关键工艺。其中，电容耦合等离子体（CCP）和电感耦合等离子体（ICP）是两种最主流的等离子体源技术。理解它们的区别，对于选择正确的工艺方案至关重要。等离子体刻蚀，又称干法刻蚀，其核心在于利用产生的活性粒子（离子、自由基）与材料发生物理或化学反应

微流控芯片的键合是连接基片与盖片的关键工序，其质量直接决定了芯片的密封性、耐久性与可靠性。微流控芯片的“键合”工序，堪称其制造过程中的“最后一公里”，也是最关键的步骤之一。一个完美的键合需要实现高强度、无泄漏、零污染、通道不变形等严苛要求。不同的芯片材料和应用场景，需要匹配不同的键合工艺。本文将深入对比目前