多晶硅薄膜（Polycrystalline Silicon Thin Film） 是由大量随机取向的微小晶粒组成的硅薄膜材料，其晶粒尺寸通常在纳米到微米量级，晶界（grain boundary）密集分布。由于其良好的电学性能、光学可调性、机械稳定性和与硅基工艺的兼容性，多晶硅薄膜被广泛应用于薄膜晶体管（TFT）、太阳能电池、微机电系统（MEMS）、光电探测器、柔性电子等微纳

在现代光学、光电子、激光、显示及精密仪器等领域中，光学镀膜技术扮演着至关重要的角色。通过精确控制材料在光学元件表面的沉积，可以改变光线与光学元件之间的相互作用，实现对光的反射、透射、吸收、偏振、分光等行为的调控。无论是我们日常使用的眼镜镜片、相机镜头、手机屏幕，还是高端的激光器镜片、光学滤波片、天文望远镜镜

在微纳加工和半导体制造领域，薄膜沉积技术是构建器件功能层不可或缺的关键工艺之一。其中，LPCVD（低压化学气相沉积） 和 PECVD（等离子体增强化学气相沉积） 是两种常见且重要的化学气相沉积技术，广泛应用于绝缘层、保护层、半导体薄膜等功能材料的制备。尽管两者都属于“化学气相沉积”这一大类，但它们在工作原理、工艺参数、薄膜特性

晶圆刻蚀是半导体制造核心工艺，用于在晶圆表面精准去除材料以形成微纳结构，其历史发展与半导体技术进步紧密相连。

ITO（氧化铟锡）是一种具有良好导电性和透明性的材料，广泛应用于触摸屏、显示器等领域。ITO干法刻蚀是在等离子体环境下，利用化学或物理作用去除不需要的ITO材料，以形成所需的电路图案，其工艺难点主要包括刻蚀速率与均匀性、选择比控制、等离子体损伤、残留物与污染等方面。

离子注入是微纳加工中关键技术，通过高能离子束轰击材料表面，改变其物理和化学性质