微纳加工
高端MEMS(微机电系统)传感器,如高精度加速度计、陀螺仪、压力传感器、麦克风等,已成为智能手机、汽车电子、工业物联网、医疗设备的核心部件。这些传感器的性能、可靠性与尺寸,高度依赖于光刻、刻蚀、镀膜三大工艺的精密协同。
一、MEMS传感器制造流程中的工艺协同
典型的MEMS传感器制造遵循“薄膜沉积—光刻图形化—刻蚀成型—释放结构”的流程,各工艺环环相扣:
以电容式加速度计为例:
镀膜:在硅衬底上沉积绝缘层(SiO₂/Si₃N₄)、结构层(多晶硅、单晶硅)或金属层(Al、Cu),形成可动质量块、固定电极的基础薄膜。
光刻:在薄膜上涂胶、曝光、显影,定义出质量块、弹簧梁、电极的平面图形。对准精度需达到亚微米级,以确保可动与固定部件的间隙均匀。
刻蚀:通过干法或湿法刻蚀,将图形转移到薄膜或衬底中,形成三维结构。例如,深硅刻蚀(DRIE)用于制备高深宽比的垂直侧壁,释放可动结构。
关键协同点:
应力匹配:镀膜工艺产生的薄膜应力(张应力或压应力)会影响后续光刻图形的畸变,以及释放后结构的弯曲、共振频率。
选择比控制:刻蚀时必须对光刻胶、停止层(如SiO₂)有足够选择比,否则会损伤下层结构。
尺寸传递精度:从光刻版图到最终三维结构的尺寸偏差,需通过工艺补偿(如刻蚀偏置量设计)来校正。
二、协同工艺在具体传感器中的体现
1. 高精度压力传感器(医用/航空)
此类传感器要求测量范围宽(如0-10MPa)、精度高(0.05%FS)、长期稳定性好。其核心是硅薄膜的制备与应变计的集成。
镀膜:在硅衬底背面沉积Si₃N₄或SiO₂/Si₃N₄复合层作为刻蚀停止层与钝化层。
光刻:正面光刻定义压阻条(Piezoresistor)图形;背面光刻定义薄膜窗口图形。
刻蚀:正面离子注入形成压阻区;背面采用湿法各向异性刻蚀(KOH、TMAH)或干法刻蚀形成薄膜,厚度控制需在±0.1μm以内。
协同关键:背面薄膜刻蚀的深度均匀性直接影响传感器灵敏度;薄膜应力状态(由镀膜工艺决定)影响零点输出与热漂移。需通过退火工艺调节应力,并通过有限元仿真优化膜片尺寸与压阻布局。
2. 光学MEMS(微镜、光开关)
用于激光雷达、光纤通信的光学MEMS,其镜面平整度、扭转铰链精度是关键。
镀膜:采用PVD沉积高反射率金属(如Al、Au)或多层介质膜作为镜面;采用LPCVD沉积多晶硅作为结构层。
光刻:电子束光刻或紫外光刻定义纳米级铰链结构。
刻蚀:反应离子刻蚀(RIE)或DRIE刻蚀出镜面、铰链、电极,侧壁垂直度需优于89°,粗糙度小于10nm。
协同关键:镜面薄膜的应力梯度会导致镜面翘曲,需通过复合膜层设计(如Al+SiO₂)平衡应力;光刻对准误差需小于铰链宽度的10%,否则影响驱动电压与转角线性度。
3. 超声波传感器(医疗成像、工业检测)
基于PMUT(压电式微机械超声换能器)的传感器,其核心是压电薄膜的制备与图形化。
镀膜:采用溶胶-凝胶法、溅射或ALD沉积压电材料(如PZT、AlN、Sc-AlN),厚度1-3μm,要求良好结晶取向(C轴取向)。
光刻:定义顶部电极、底部电极及振动膜图形。
刻蚀:干法刻蚀(如RIE with Cl₂/BCl₃)图形化PZT,需避免侧壁损伤与化学残留。
协同关键:压电薄膜的沉积温度(通常>400°C)需与底层CMOS电路兼容;刻蚀PZT时需选择性去除而不损伤底部电极(如Pt、Ir);电极形状与振动模态需通过仿真优化,以提升灵敏度与带宽(来源:《微纳加工与智能制造》,2023年第一期)。
三、协同优化方法与实践
1. 设计-工艺协同优化(DTCO)
在器件设计阶段即考虑工艺限制与变异,通过仿真预测不同工艺参数下的器件性能。例如,通过TCAD(工艺与器件仿真)模拟不同刻蚀角度对电容间隙的影响,优化版图设计。
2. 工艺窗口重叠(Overlay of Process Window)
对于多步光刻,需确保每一步的对准窗口、曝光窗口与刻蚀偏差窗口有足够重叠区域。采用先进对准标记设计、实时形貌测量(如AFM集成)提升重叠精度。
3. 智能工艺监控与反馈
在生产线上部署在线测量(如椭偏仪测膜厚、光学CD测线宽)、传感器数据采集,结合机器学习算法,实时调整工艺参数,补偿前道工序的变异。
四、挑战与未来方向
当前协同工艺的主要挑战包括:
热预算管理:不同材料、工艺的温度循环可能引入应力、界面反应、掺杂再分布。
异质材料集成:如压电材料、磁性材料与硅基工艺的兼容性。
纳米尺度效应:当特征尺寸小于100nm,表面粗糙度、界面态的影响显著,需原子级精度工艺控制。
未来,随着传感器向多模态(如惯性+压力+温度)、智能化(集成ASIC)、微型化(可植入)发展,对“光刻+刻蚀+镀膜”的协同要求将更高。工艺模块化、标准化(如MEMS代工平台)与定制化灵活结合,将成为产业主流模式。
苏州原位芯片科技有限责任公司©版权所有 苏ICP备15018093号-6 苏公网安备 32059002002439号 网站地图