SOI 背刻+减薄到 50μm 的工艺链

典型目标结构

顶层 Si 5–10μm / BOX 0.5–1μm / 底层 Si 50μm（由初始 725μm 减薄而来），用于压力传感器背腔、微镜支撑、惯性器件锚区。

全链 7 步（6 寸片）

正面保护：已释放结构面贴临时 UV 膜或旋涂保护层（AZ 系列 5μm），避免后道研磨伤结构

临时键合载片：用临时键合胶（如 Brewer Science HT 系列 / 3M 热滑移胶）将正面粘到 4mm 玻璃载片，真空热压 200℃/30min，粘接强度>5 MPa

背面粗磨：#320 金刚石轮粗磨到 100μm 停，去除率 15μm/min

DRIE 背刻 BOX 停止：SF₆/C₄F₈ Bosch，刻穿 725→55μm，终点靠 IR 测厚+BOx 颜色监控

精细减薄/CMP：化学机械抛光把 55μm 收至 50±1μm，去除率 0.5μm/min，表面 Ra<2nm

解键合：热滑移法（加热载片 130℃ 滑移分离）或 UV 解胶（UV 照 300s 降粘），残留胶用 NMP 60℃ 浸泡洗掉

正面揭膜+释放：去 UV 膜，HF 稀释 10s 清 BOX 露结构

三个最容易断片的点

临时键合层有颗粒→减薄中微裂纹扩展，解键合整片碎

DRIE 背刻过刻 BOX→顶层结构塌陷，IR 监控必须每片校

解键合升温过快（>5℃/min）→ 热应力翘曲，50μm 片变船形