掩模版激光直写 vs 电子束：MEMS 课题该选哪种？

先分清两个用途

做掩模版本身（给接触/接近式光刻用）→ 激光直写最常见，405nm 或 365nm 直写铬板/干版

无掩模直写晶圆（EBL 直接在片）→ 电子束，纳米级但极慢，不适合有掩模光刻替代场景

激光直写制版（LDW）

线宽：常规 0.5–2 μm 最小线宽（取决于镜头 NA 与胶），MEMS 麦克风/压力传感器/微流控够用

套刻：±1 μm 以内（多图层拼接）

周期：数据审完 3 天交付常见（苏州纳米城周边如硅时代等厂商标称 3 天）

成本：一片铬版几百到两千，远低于 EBL

局限：亚微米阵列、斜面灰度、非对称奇异图形不擅长

电子束直写制版（EBL）

线宽：2–5 nm 理论极限，实用 50–200 nm

邻近效应需校正（PEC），否则细线变粗

周期：单版 1–3 天起步，复杂图形一周；真空上下片耗时

成本：单版几千到上万

适用：光子晶体、量子点电极、母版掩模（给 LDW 翻版用）

MEMS 课题组选型决策表