简单说，就是把硅片想象成一块厚豆腐。你要做压力传感器、微镜或者微流控通道，就得在这块豆腐上“挖洞”、“掏空腔”。DRIE（深硅刻蚀）就是那个“挖洞的钻头”。但它不是普通的钻，它是在微观世界里挖，挖出来的洞是不是笔直的、洞壁光不光滑、洞底平不平，直接决定了你的芯片能不能用。

顶层 Si 5–10μm / BOX 0.5–1μm / 底层 Si 50μm（由初始 725μm 减薄而来），用于压力传感器背腔、微镜支撑、惯性器件锚区。

阳极键合（Anodic Bonding）靠 300–450℃ + 0.5–1.5 kV 直流电场让 Na⁺ 迁移形成 SiO₂ 界面层。任何破坏界面紧密接触+离子迁移通道的因素都会留下未接合区，降温后呈现圆形/条形气泡。

6 寸硅片接触式光刻最小线宽能到多少？

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科研硅片光刻常踩的 3 个坑：胶厚不均、显影不净、套刻偏