芯片刻蚀是微纳加工中形成图案的核心步骤，但刻蚀后的晶圆仍需经过一系列后处理工艺，才能成为具备功能、可靠性和稳定性的实际芯片。这些步骤的目标是：去除残留污染物、修复工艺损伤、构建互连结构、保护器件表面，并最终形成可用的半导体器件。

晶圆热压阳极键合（Thermo-Compressive Anodic Bonding） 是一种用于将两片晶圆（或其他固体材料）通过高温、压力和电场协同作用实现高强度、高气密性键合的微纳加工技术。它是阳极键合（Anodic Bonding）的一种改进形式，结合了“热压”（高温+压力）与“阳极电场驱动”的双重机制，主要用于半导体、微机电系统（MEMS）、传感器、光电器件等领域的

在微纳加工中，干法刻蚀（Dry Etching）是通过等离子体（含离子、自由基、中性粒子等）与材料表面的物理/化学反应实现材料去除的技术。其适用性主要取决于材料与刻蚀气体的反应活性及反应产物的挥发性。以下从可刻材料、不可刻材料及原因三方面展开分析。

多层芯片的光刻是集成电路制造中至关重要的环节，其核心目标是将设计好的多层电路图案（如晶体管结构、金属互连线、通孔等）精确转移到晶圆表面的不同介质层上。由于多层芯片涉及数十甚至上百层结构（如逻辑芯片的FinFET栅极层、金属互连层等），每一步光刻都需严格控制套刻精度、分辨率和工艺稳定性。以下从工艺流程、关键技术挑战、核

在微纳加工领域，光刻（Lithography）和刻蚀（Etching）是两个核心且紧密关联的工艺步骤，共同承担“将设计图案从掩膜版转移到目标材料”的关键任务。二者的本质区别在于：光刻是“图案复制”过程，刻蚀是“图案转移”过程。以下从定义、核心目的、工艺流程、关键设备、控制参数及协同关系等方面详细解析两者的区别。

微纳加工技术中的激光成像是指利用激光作为光源，通过精确控制激光与材料的相互作用，在微纳尺度（纳米至微米级）上实现图案的高精度转移、检测或直接写入的技术。它是微纳加工中关键的“图案化”环节之一，广泛应用于半导体制造、MEMS（微机电系统）、微流控芯片、生物芯片等领域。